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IRC540PBF
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IRC540PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
100 V
额定电流
28.0 A
封装
TO-220-5
极性
N-Channel
功耗
150W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
28.0 A
上升时间
77.0 ns
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
150 W
耗散功率(Max)
150W (Tc)

IRC540PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRC540PBF 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.21 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 1.09 MByte

IRC540 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(ON) = 0.077ohm ,ID = 28A ) Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
VISHAY(威世)
Vishay Siliconix
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