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IRF200B211
0.311
IRF200B211 数据手册 (6 页)
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IRF200B211 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
功耗
80 W

IRF200B211 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Rail, Tube

IRF200B211 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
6 页 / 0.24 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.53 MByte

IRF200 数据手册

Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF200P223 TO-247AC
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 182 A, 200 V, 0.0053 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
IRF200B211 系列 200 V 170 mOhm 法兰安装 HEXFET® 功率 Mosfet - TO-220AB
Infineon(英飞凌)
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 90 A, 0.014 ohm, TO-263AB, 表面安装
International Rectifier(国际整流器)
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