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IRF3711STRL
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IRF3711STRL 数据手册 (12 页)
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IRF3711STRL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
极性
N-CH
功耗
3.1W (Ta), 120W (Tc)
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
110A
输入电容值(Ciss)
2980pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
3.1 W
耗散功率(Max)
3.1W (Ta), 120W (Tc)

IRF3711STRL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF3711STRL 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.08 MByte

IRF3711 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON)最大值= 6.0mohm ,ID = 110A ) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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