器件3D模型

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IRF5806TR 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TSOP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF5806TR 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF5806TR 数据手册 (9 页)

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IRF5806TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-4.00 A

封装

TSOP

极性

P-Channel

功耗

2.00 W

零部件系列

IRF5806

漏源极电压(Vds)

20.0 V

漏源击穿电压

-20.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.00 A

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

594pF @25V(Vds)

下降时间

126 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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IRF5806TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

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IRF5806TR 符合标准

IRF5806TR 数据手册

Infineon（英飞凌）

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