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IRF6613TR1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF6613TR1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

IRF6613TR1 数据手册 (9 页)

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IRF6613TR1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

Direct-FET

极性

N-CH

功耗

2.8 W

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

23A

上升时间

47 ns

输入电容值(Ciss)

5950pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.8 W

下降时间

4.9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

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IRF6613TR1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.35 mm

宽度

5.05 mm

高度

0.7 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF6613TR1 符合标准

IRF6613TR1 概述

IRF6613TR1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.23 MByte

IRF6613TR1 产品设计参考手册

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3 页 / 0.36 MByte

IRF6613TR1 其他数据使用手册

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