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IRF6620
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IRF6620 数据手册 (9 页)
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IRF6620 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
DirectFET-MX
极性
N-CH
功耗
2.8 W
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
27A
上升时间
80 ns
下降时间
6.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

IRF6620 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
6.35 mm
宽度
5.05 mm
高度
0.7 mm

IRF6620 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.22 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
44 页 / 3.69 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
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