IRF6635

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IRF6635 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF6635 数据手册 (10 页)

IRF6635 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

32.0 A

封装

Direct-FET

极性

N-Channel

功耗

2.8W (Ta), 89W (Tc)

零部件系列

IRF6635

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

32.0 A

上升时间

13.0 ns

输入电容值(Ciss)

5970pF @15V(Vds)

耗散功率(Max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

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IRF6635 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF6635 符合标准

IRF6635 数据手册

IRF6635 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.62 MByte

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Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.63 MByte

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