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IRF6635TRPBF
2.414
IRF6635TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF6635TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
32.0 A
封装
DirectFET-3
极性
N-Channel
功耗
89.0 W
零部件系列
IRF6635
输入电容
5.97 nF
栅电荷
71.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
25.0 A, 32.0 mA
上升时间
13.0 ns
输入电容值(Ciss)
5970pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.8 W

IRF6635TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

IRF6635TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.24 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.63 MByte

IRF6635 数据手册

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IRF
DirectFET功率MOSFET DirectFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF6635TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.8 V 新
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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