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IRF6645PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

Direct-FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF6645PBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

IRF6645PBF 数据手册 (10 页)

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IRF6645PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

7 Pin

封装

Direct-FET

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

5.7A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

890pF @25V(Vds)

下降时间

5.1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2200 mW

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IRF6645PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

材质

Silicon

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IRF6645PBF 符合标准

IRF6645PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.24 MByte

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