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IRF6645TR1PBF
1.637
IRF6645TR1PBF 数据手册 (9 页)
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IRF6645TR1PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
5.70 A
封装
DirectFET™ Isometric SJ
漏源极电阻
35 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.00 mW
零部件系列
IRF6645
阈值电压
4.9 V
输入电容
890 pF
栅电荷
20.0 nC
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
4.50 A
上升时间
5.00 ns
输入电容值(Ciss)
890pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3 W

IRF6645TR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)

IRF6645TR1PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.22 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.23 MByte
International Rectifier(国际整流器)
6 页 / 1.89 MByte

IRF6645TR1 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF6645TR1PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V
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