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IRF6648TR1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

描述:

INFINEON IRF6648TR1 晶体管, MOSFET, N沟道, 86 A, 60 V, 5.5 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRF6648TR1 数据手册 (10 页)

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IRF6648TR1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

Direct-FET

针脚数

7 Position

漏源极电阻

0.0055 Ω

极性

N-CH

功耗

2.8 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

86A

上升时间

29 ns

输入电容值(Ciss)

2120pF @25V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

IRF6648TR1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF6648TR1 符合标准

IRF6648TR1 数据手册

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Infineon（英飞凌）

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