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IRF730A
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IRF730A 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
上升时间
22 ns
输入电容值(Ciss)
600pF @25V(Vds)
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
74000 mW

IRF730A 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.15 MByte

IRF730 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 400V - 0.75欧姆 - 5.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Harris
N沟道 400V 5.5A
Intersil(英特矽尔)
5.5A , 400V , 1.000 Ohm的N通道功率MOSFET 5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 400V 5.5A
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