器件3D模型

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IRF7379QTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7379QTRPBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

IRF7379QTRPBF 数据手册 (10 页)

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IRF7379QTRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SO-8

通道数

2 Channel

漏源极电阻

75 mΩ

极性

N+P

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

5.8A/4.3A

输入电容值(Ciss)

520pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

耗散功率(Max)

2.5 W

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IRF7379QTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF7379QTRPBF 符合标准

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