器件3D模型

￥ 0.131

IRF7503TR 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TSSOP-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF7503TR 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRF7503TR 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRF7503TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TSSOP-8

极性

N-CH

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

2.4A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

210pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

5.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1250 mW

查看数据手册 >

IRF7503TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRF7503TR 符合标准

IRF7503TR 概述

IRF7503TR 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.11 MByte

IRF7503TR 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.26 MByte

IRF7503 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF7503 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF7503 数据手册

IRF

功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.135ohm ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm)

IRF7503TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRF7503TRPBF. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, MICRO8, 整卷

IRF7503TRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF7503PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF7503TR 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF7503TR 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF7503PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRF7503PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.4 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V

IRF7503TRPBF-EL 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号