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IRF7506PBF
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IRF7506PBF 数据手册 (8 页)
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IRF7506PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
Micro
极性
P-Channel
漏源极电压(Vds)
-30.0 V
连续漏极电流(Ids)
-1.70 A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
180pF @25V(Vds)
下降时间
9.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1250 mW

IRF7506PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

IRF7506PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.2 MByte

IRF7506 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -30V , RDS(ON) = 0.27ohm ) Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.27ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7506TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.7 A, -30 V, 270 mohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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