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IRF7509PBF
器件3D模型
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IRF7509PBF 数据手册 (8 页)
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IRF7509PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
SOIC
漏源极电阻
110 mΩ
功耗
1.25 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃

IRF7509PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

IRF7509PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.23 MByte

IRF7509 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = + - 30V ) Power MOSFET(Vdss=+-30V)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7509TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7509PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
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