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IRF7726PBF
1.22
IRF7726PBF 数据手册 (10 页)
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IRF7726PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
极性
P-Channel
功耗
1.79 W
零部件系列
IRF7726
漏源击穿电压
-30.0 V
连续漏极电流(Ids)
-7.00 A

IRF7726PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.12 MByte

IRF7726 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -30V ) Power MOSFET(Vdss=-30V)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7726TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -30 V, 0.026 ohm, -10 V, -2.5 V 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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