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IRF7726TRPBF
0.269
IRF7726TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF7726TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-7.00 A
封装
Micro-8
额定功率
1.79 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.026 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.79 W
零部件系列
IRF7726
输入电容
2204 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
-7.00 A
上升时间
38 ns
输入电容值(Ciss)
2204pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.79 W
下降时间
161 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.79W (Ta)

IRF7726TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.05 mm
宽度
3.05 mm
高度
0.91 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7726TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.12 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRF7726 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -30V ) Power MOSFET(Vdss=-30V)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7726TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -30 V, 0.026 ohm, -10 V, -2.5 V 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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