输入电容值(Ciss)
11880pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 125W (Tc)
●表面贴装型 N 通道 46A（Ta），375A（Tc） 3.8W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
DirectFET® 功率 MOSFET，Infineon**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低，尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型，仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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