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IRF7739L2TRPBF
2.047
IRF7739L2TRPBF 数据手册 (11 页)
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IRF7739L2TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
15 Pin
封装
Direct-FET
额定功率
125 W
极性
N-Channel
功耗
125 W
阈值电压
2.8 V
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
46A
上升时间
71 ns
输入电容值(Ciss)
11880pF @25V(Vds)
下降时间
42 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 125W (Tc)

IRF7739L2TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Discontinued at Digi-Key
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF7739L2TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.29 MByte
Infineon(英飞凌)
22 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte

IRF7739L2 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 40 V, 700 µohm, 10 V, 2.8 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低,尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型,仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
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