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IRF7769L1TRPBF
1.558
IRF7769L1TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF7769L1TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
15 Pin
封装
Direct-FET
额定功率
3.3 W
针脚数
15 Position
漏源极电阻
0.0028 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.3 W
阈值电压
2.7 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
32 ns
输入电容值(Ciss)
11560pF @25V(Vds)
下降时间
41 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.3W (Ta), 125W (Tc)

IRF7769L1TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF7769L1TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
44 页 / 3.69 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.19 MByte

IRF7769L1 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 100 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.7 V
International Rectifier(国际整流器)
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