器件3D模型

￥ 0.797

IRF7807VD2TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF7807VD2TRPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF7807VD2TRPBF 数据手册 (9 页)

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IRF7807VD2TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

极性

N-CH

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

8.3A

上升时间

1.2 ns

下降时间

2.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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IRF7807VD2TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF7807VD2TRPBF 符合标准

IRF7807VD2TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.13 MByte

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