器件3D模型

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IRF7832TR 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7832TR 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

IRF7832TR 数据手册 (10 页)

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IRF7832TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

20.0 A

封装

SOIC-8

极性

N-Channel

功耗

2.5W (Ta)

零部件系列

IRF7832

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

20.0 A

上升时间

12.3 ns

输入电容值(Ciss)

4310pF @15V(Vds)

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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IRF7832TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

工作温度

-55℃ ~ 155℃ (TJ)

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IRF7832TR 符合标准

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