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Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRF7862PBF Datasheet 文档
IRF7862PBF
器件3D模型
0.426
IRF7862PBF 数据手册 (9 页)
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IRF7862PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
通道数
1 Channel
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
零部件系列
IRF7862
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
21.0 A
输入电容值(Ciss)
4090pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W

IRF7862PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube

IRF7862PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.22 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.23 MByte

IRF7862 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N 沟道 30 V 2.5 W 30 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7862PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.7 mohm, 10 V, 5.4 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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