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IRF7907PBF
器件3D模型
1.299
IRF7907PBF 数据手册 (1 页)
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IRF7907PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
9.10 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
9.8 mΩ
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7907
阈值电压
1.8 V
输入电容
1.79 nF
栅电荷
14.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
11.0 A
上升时间
14.0 ns
输入电容值(Ciss)
850pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF7907PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7907PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
1 页 / 0.17 MByte

IRF7907 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
N沟道 30 V 16.4 mOhm 6.7 nC HEXFET 功率 Mosfet 表面贴装 - SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7907PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 11 A, 30 V, 0.0137 ohm, 10 V, 1.8 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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