器件3D模型

￥ 0.171

IRF8113PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IRF8113PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 5.6 mohm, 10 V, 2.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF8113PBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

IRF8113PBF 数据手册 (10 页)

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IRF8113PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2.5 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0056 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

2.2 V

输入电容

2910pF @15V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

17.2A

上升时间

8.9 ns

输入电容值(Ciss)

2910pF @15V(Vds)

下降时间

3.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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IRF8113PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Rail, Tube

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF8113PBF 符合标准

IRF8113PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.21 MByte

IRF8113PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF8113PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.47 MByte

IRF8113PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF8113PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF8113PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.56 MByte

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INFINEON IRF8113TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.2 V 新

IRF8113TRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10V

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