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IRF8252TRPBF-1
器件3D模型
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IRF8252TRPBF-1 数据手册 (10 页)
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IRF8252TRPBF-1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
极性
N-CH
功耗
2.5W (Ta)
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
25A
输入电容值(Ciss)
5305pF @13V(Vds)
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF8252TRPBF-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF8252TRPBF-1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.26 MByte

IRF8252 数据手册

Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 25V 25A
Infineon(英飞凌)
N沟道 25 V 2.5 W 35 nC 功率Mosfet 表面贴装 - SOIC-8
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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