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IRF830SPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 沟道 500 V 1.5 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - D2PAK-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF830SPBF 数据手册 (4 页)

封装尺寸在3 页

IRF830SPBF 数据手册 (4 页)

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IRF830SPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

1.50 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

1.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

74 W

阈值电压

4 V

输入电容

610pF @25V

栅电荷

38.0 nC

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

4.50 A

上升时间

16 ns

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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IRF830SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRF830SPBF 符合标准

IRF830SPBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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