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IRFB18N50K 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

TO-220-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFB18N50K 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

IRFB18N50K 数据手册 (10 页)

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IRFB18N50K 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

漏源极电阻

290 mΩ

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

17A

上升时间

60 ns

输入电容值(Ciss)

2830pF @25V(Vds)

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

220000 mW

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IRFB18N50K 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

最小包装数量

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