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IRFB18N50KPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

VISHAY IRFB18N50KPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFB18N50KPBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

IRFB18N50KPBF 数据手册 (10 页)

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IRFB18N50KPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

18.0 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.29 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 W

阈值电压

5 V

输入电容

2830pF @25V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

17.0 A

上升时间

60 ns

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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IRFB18N50KPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.51 mm

宽度

4.7 mm

高度

15.49 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFB18N50KPBF 符合标准

IRFB18N50KPBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 0.29 MByte

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