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IRFB23N15D
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IRFB23N15D 数据手册 (12 页)
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IRFB23N15D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
150 V
额定电流
23.0 A
封装
TO-220
极性
N-Channel
功耗
3.80 W
零部件系列
IRFB23N15D
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
连续漏极电流(Ids)
23.0 A
上升时间
32 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
下降时间
8.4 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3800 mW

IRFB23N15D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

IRFB23N15D 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFB23N15 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 150V , RDS(ON)最大值= 0.090ohm ,ID = 23A ) Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB23N15DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 150 V, 90 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,150V,23A,90mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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