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IRFB23N20DPBF
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IRFB23N20DPBF 数据手册 (12 页)
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IRFB23N20DPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
24.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
0.1 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.8 W
零部件系列
IRFB23N20D
输入电容
1960pF @25V
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
24.0 A
上升时间
32.0 ns
热阻
0.9℃/W (RθJC)
输入电容值(Ciss)
1960pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.8 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFB23N20DPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
高度
8.77 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFB23N20DPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.14 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte

IRFB23N20 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB23N20DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier(国际整流器)
IRFB23N20DPBF 管装
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON)最大值= 0.10ohm ,ID = 24A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
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