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IRFB33N15D 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFB33N15D 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 9 页 10 页

IRFB33N15D 数据手册 (12 页)

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IRFB33N15D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

150 V

额定电流

33.0 A

封装

TO-220-3

极性

N-Channel

功耗

3.8W (Ta), 170W (Tc)

零部件系列

IRFB33N15D

漏源极电压(Vds)

150 V

漏源击穿电压

150 V

连续漏极电流(Ids)

33.0 A

上升时间

38.0 ns

输入电容值(Ciss)

2020pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 170W (Tc)

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IRFB33N15D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFB33N15D 符合标准

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