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IRFB38N20D
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IRFB38N20D 数据手册 (12 页)
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IRFB38N20D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
N-Channel
功耗
320 W
零部件系列
IRFB38N20D
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
44.0 A
输入电容值(Ciss)
2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.8 W

IRFB38N20D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFB38N20D 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.13 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFB38N20 数据手册

Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
44A,200V,N沟道功率MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON)最大值= 0.054ohm ,ID = 44A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
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