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IRFB4212PBF
0.225
IRFB4212PBF 数据手册 (8 页)
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IRFB4212PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
18.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
72.5 mΩ
极性
N-Channel
功耗
60 W
零部件系列
IRFB4212
阈值电压
5 V
输入电容
550pF @50V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
18.0 A
上升时间
28.0 ns
输入电容值(Ciss)
550pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
60 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
60 W

IRFB4212PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.66 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFB4212PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.27 MByte
International Rectifier(国际整流器)
7 页 / 0.29 MByte

IRFB4212 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB4212PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 72.5 mohm, 10 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,18A,72.5mΩ@10V
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