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IRFB42N20D
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IRFB42N20D 数据手册 (9 页)
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IRFB42N20D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
200 V
额定电流
42.0 A
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
2.4W (Ta), 330W (Tc)
零部件系列
IRFB42N20D
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
44.0 A
上升时间
69 ns
输入电容值(Ciss)
3430pF @25V(Vds)
下降时间
32 ns
耗散功率(Max)
2.4W (Ta), 330W (Tc)

IRFB42N20D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFB42N20D 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFB42N20 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB42N20DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42.6 A, 200 V, 55 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON)最大值= 0.055ohm ,ID = 44A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.055ohm, Id=44A)
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