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IRFB59N10D
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IRFB59N10D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
100 V
额定电流
59.0 A
极性
N-Channel
功耗
200 W
零部件系列
IRFB59N10D
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
59.0 A
上升时间
90.0 ns

IRFB59N10D 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.16 MByte
International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.12 MByte

IRFB59N10 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(ON)最大值= 0.025ohm ,ID = 59A ) Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB59N10DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Vishay Semiconductor(威世)
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