IRFBE30

￥ 0.268

IRFBE30 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFBE30 数据手册 (8 页)

IRFBE30 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

800 V

额定电流

4.10 A

封装

TO-220

漏源极电阻

3.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.10 A

上升时间

33.0 ns

查看数据手册 >

IRFBE30 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

查看数据手册 >

IRFBE30 符合标准

IRFBE30 数据手册

IRFBE30 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 1.43 MByte

IRFBE30 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.16 MByte

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