IRFBE30PBF

￥ 0.607

IRFBE30PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFBE30PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFBE30PBF 数据手册 (9 页)

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IRFBE30PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

4.10 A

封装

TO-220-3

额定功率

125 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

3 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

4 V

输入电容

1300pF @25V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.10 A

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @25V(Vds)

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125 W

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IRFBE30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Bulk

长度

10.41 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.01 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFBE30PBF 符合标准

IRFBE30PBF 海关信息

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