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IRFBG30PBF
0.339
IRFBG30PBF 数据手册 (9 页)
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IRFBG30PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
1.00 kV
额定电流
3.10 A
封装
TO-220
漏源极电阻
5.00 kΩ
极性
N-Channel
功耗
200 W
漏源击穿电压
1.00 kV
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.10 A

IRFBG30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk

IRFBG30PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 1.5 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 1.59 MByte

IRFBG30 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(ON) = 5.0ohm ,ID = 3.1A ) Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
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