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IRFD220PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

DIP

描述:

VISHAY IRFD220PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFD220PBF 数据手册 (8 页)

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IRFD220PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

800 mA

封装

DIP

额定功率

1.3 W

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.8 Ω

极性

N-Channel

功耗

1 W

阈值电压

4 V

输入电容

260pF @25V

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

800 mA

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

260pF @25V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1 W

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IRFD220PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

5 mm

宽度

6.29 mm

高度

3.37 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFD220PBF 符合标准

IRFD220PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 1.82 MByte

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