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IRFD9110PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

DIP

描述:

VISHAY IRFD9110PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, 700 mA, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFD9110PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFD9110PBF 数据手册 (9 页)

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IRFD9110PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

-100 V

额定电流

-700 mA

封装

DIP

针脚数

4 Position

漏源极电阻

1.2 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.3 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

-100 V

连续漏极电流(Ids)

-700 mA, -700 mA

上升时间

27.0 ns

输入电容值(Ciss)

200pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1300 mW

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IRFD9110PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

6.29 mm

宽度

6.29 mm

高度

3.37 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IRFD9110PBF 符合标准

IRFD9110PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 1.6 MByte

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