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IRFD9120PBF
0.763
IRFD9120PBF 数据手册 (10 页)
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IRFD9120PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
DIP-4
功耗
1300 mW
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
29 ns
输入电容值(Ciss)
390pF @25V(Vds)
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1.3W (Ta)

IRFD9120PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
6.29 mm
宽度
5 mm
高度
3.37 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFD9120PBF 数据手册

Vishay Siliconix
10 页 / 1.98 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 1.98 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.13 MByte

IRFD9120 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
1.0A , 100V , 0.6欧姆,P沟道功率MOSFET 1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFD9120PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-100V,-1A,600mΩ@-10V
Vishay Siliconix
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