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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRFH4253DTRPBF Datasheet 文档
IRFH4253DTRPBF
器件3D模型
0.583
IRFH4253DTRPBF 数据手册 (13 页)
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IRFH4253DTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
10 Pin
封装
PQFN-8
额定功率
50 W
通道数
2 Channel
针脚数
10 Position
极性
Dual N-Channel
功耗
50 W
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
64A/145A
输入电容值(Ciss)
1314pF @13V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFH4253DTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6 mm
宽度
5 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFH4253DTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.57 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRFH4253 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFH4253DTRPBF.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 25V, 145A, PQFN-10
International Rectifier(国际整流器)
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