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IRFH5007TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PowerVDFN-8

描述:

INFINEON IRFH5007TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 100A, 75V, 3.6W

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFH5007TRPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

IRFH5007TRPBF 数据手册 (9 页)

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IRFH5007TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerVDFN-8

额定功率

250 W

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

5.1 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3.6 W

零部件系列

IRFH5007

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

75 V

漏源击穿电压

75 V

连续漏极电流(Ids)

100 A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

4290pF @25V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

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IRFH5007TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6 mm

宽度

5 mm

高度

0.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRFH5007TRPBF 符合标准

IRFH5007TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.26 MByte

IRFH5007TRPBF 产品设计参考手册

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IRFH5007TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFH5007TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

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IRFH5007TRPBF 开发手册

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