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IRFH5300TR2PBF
0.833
IRFH5300TR2PBF 数据手册 (9 页)
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IRFH5300TR2PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VQFN-8
额定功率
3.6 W
漏源极电阻
1.1 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.6 W
零部件系列
IRFH5300
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
100 A
输入电容值(Ciss)
7200pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
3.6 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFH5300TR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRFH5300TR2PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.21 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.26 MByte

IRFH5300TR2 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
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N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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