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IRFH5302DTRPBF
0.249
IRFH5302DTRPBF 数据手册 (9 页)
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IRFH5302DTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerVDFN-8
额定功率
3.6 W
通道数
1 Channel
极性
N-Channel
功耗
3.6W (Ta), 104W (Tc)
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
29A
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
3635pF @25V(Vds)
下降时间
12 ns
耗散功率(Max)
3.6W (Ta), 104W (Tc)

IRFH5302DTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFH5302DTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.57 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFH5302 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
PQFN(5x6)单芯片焊盘
Infineon(英飞凌)
MOSFET 30 V FETky(单片式FET及肖特基二极管) 100 A 2.5 mOhm 26 nC Qg PQFN
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFH5302TR2PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.8 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
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