器件3D模型

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IRFHS9301TR2PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PQFN-6

描述:

INFINEON IRFHS9301TR2PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.5 A, -30 V, 30 mohm, -10 V, -1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFHS9301TR2PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

IRFHS9301TR2PBF 数据手册 (9 页)

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IRFHS9301TR2PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

PQFN-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

30 mΩ

极性

P-CH

功耗

2.1 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

80 ns

输入电容值(Ciss)

580pF @25V(Vds)

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.1W (Ta)

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IRFHS9301TR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

长度

2 mm

宽度

2 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRFHS9301TR2PBF 符合标准

IRFHS9301TR2PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.24 MByte

IRFHS9301TR2PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

IRFHS9301TR2PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

4 页 / 0.07 MByte

IRFHS9301TR2PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.06 MByte

IRFHS9301TR2 数据手册

IRFHS9301TR2PBF 数据手册

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IRFHS9301TR2PBF 数据手册

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