Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRFHS9351TR2PBF Datasheet 文档
IRFHS9351TR2PBF
器件3D模型
0.385
IRFHS9351TR2PBF 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFHS9351TR2PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
PQFN-6
额定功率
1.4 W
通道数
2 Channel
漏源极电阻
0.135 Ω
极性
P-CH
功耗
1.4 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
2.3A
上升时间
30 nS
输入电容值(Ciss)
160pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.4 W
下降时间
7.9 nS
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1400 mW

IRFHS9351TR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
2 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFHS9351TR2PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.06 MByte

IRFHS9351TR2 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
P 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备,以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项,设计人员可以选择双 P 通道配置。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z