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IRFHS9351TRPBF
器件3D模型
0.237
IRFHS9351TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRFHS9351TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
PQFN-6
额定功率
1.4 W
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.135 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.4 W
零部件系列
IRFHS9351
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
2.3A
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
160pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.4 W
下降时间
7.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.4 W

IRFHS9351TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.1 mm
宽度
2.1 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFHS9351TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRFHS9351 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFHS9351TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5.1 A, -30 V, 0.135 ohm, -10 V, -1.8 V 新
International Rectifier(国际整流器)
P 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备,以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项,设计人员可以选择双 P 通道配置。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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